收藏本站
NTHD4502N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
300
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
12
24
200
C ISS
C RSS
10
8
6
V DS
Q G
V GS
20
16
12
100
C OSS
4
2
Q GS
Q GD
I D = 2.9 A
T J = 25 ° C
8
4
0
10
5
V GS
0
V DS
5
10
15
20
25
30
0
0
1 2 3
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
4
0
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
3
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t d(off)
t d(on)
t r
2
1
0.1
1
t f
10
V DD = 24 V
I D = 1.0 A
V GS = 10 V
100
1
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
5
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTHD4508NT1G MOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET
NTHD4N02FT1G MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
NTHD4P02FT1G MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
NTHD5903T1G MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET
NTHD5904NT1G MOSFET N-CHAN 3.3A 20V CHIPFET
NTHS2101PT1 MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
NTHS4101PT1G MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET
NTHS4166NT1G MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
相关代理商/技术参数
NTHD4502NT1G 功能描述:MOSFET 30V 3.9A Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTHD4508N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 20 V, 4.1 A, Dual N−Channel ChipFET
NTHD4508NT1 功能描述:MOSFET 20V 4.1A Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTHD4508NT1G 功能描述:MOSFET 20V 4.1A Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTHD4N02 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Typical Uses for FETKY Devices
NTHD4N02F 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET and Schottky Diode
NTHD4N02FT1 功能描述:MOSFET 20V 3.9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTHD4N02FT1G 功能描述:MOSFET 20V 3.9A N-Channel w/3.7A Schottky RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube